ÜBERSICHT SENSORIK
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AF16
C1
KF3
Tele
 Meßprinzip Autofokus
(Arbeitsprinzip)
Weißlichtsensor
(Arbeitsprinzip)
Konfokalsensor
(Arbeitsprinzip)
Konfokalsensor
(Arbeitsprinzip)
 Meßbereich 1500 µm 120/300/600µm
je nach Sensor
1000 µm 1000 µm
 Auflösung 10 nm 7.5-25 nm
je nach Sensor
20 nm 20 nm
 Linearität 200 nm besser 0.5% über den Meßbereich 1 µm 2 µm
 Reproduzierbarkeit σ <= 10 nm (1) σ <= 10/25 nm (2)
je nach Sensor
σ <= 15 nm (3) σ <= 15 nm (3)
 Arbeitsabstand 2 mm 1,5/4/11 mm je nach Sensor 4 mm 13,5 mm
 Strahlquelle Halbleiterlaser, 780 nm H1 Halogenlampe 55 W Halbleiterlaser, 670 nm Halbleiterlaser, 780 nm
 Laserklasse Laserklasse 1 (DIN EN31252) - Laserklasse 2 (DIN EN31252) Laserklasse 1 (DIN EN31252)
 Meßfleckdurchmesser 1.9 µm ca. 5 µm 1.7 µm 2 µm
 Oberflächenneigung (4) 90° +/- 25° 90° +/- 25° 90° +/- 25° 90° +/- 25°
 Abtastrate 16 Hz - 10 kHz 30 Hz-1500 Hz 16 Hz - 1000 Hz 16 Hz - 1000 Hz
 Nachführrate 60 mm/s (5) - 550 mm/s (6) 550 mm/s (6)
 Datenübertragung RS232 RS232, Analogausgang RS232, Analogausgang RS232, Analogausgang
Besonderheiten integriertes Mikroskop, Maßverkörperung über Glasmaßstab, kein Kalibrierservice erforderlich,
hohe Genauigkeit und Auflösung,
Triggerung auf Encodersignale möglich
Triggerung auf Encodersignale möglich,
Dynamikbereich 5000:1,
einfachste Bedienung
großer Arbeitsabstand bei hoher numerischer Apertur,
Triggerung auf Encodersignale möglich,
Dynamikbereich 5000:1,
einfachste Bedienung
Anwendungsgebiete Dickschicht, Hybrid optische Industrie, Telekommunikation, Elektrotechnik, Elektronik Materialforschung, Tribologie Maschinenbau: Form, Welligkeit, Rauheit Packaging: Warpage, Koplanarität Mikrostrukturtechnik, optische Industrie, Elektrotechnik, Kunststoff- und Papierverarbeitung, Inspektionsaufgaben in der Halbleiter- und Leiterplattenfertigung Mikrostrukturtechnik optische Industrie, Elektrotechnik Kunststoff- und Papierverarbeitung, Inspektionsaufgaben in der Halbleiter- und Leiterplattenfertigung Mikrostrukturtechnik optische Industrie, Elektrotechnik Kunststoff- und Papierverarbeitung, Inspektionsaufgaben in der Halbleiter- und Leiterplattenfertigung
         
(1) bei 50 Messungen einer Stufe von 150 µm auf polierter Oberfläche, (2) bei einer Stufenhöhe von 100 µm auf polierter Oberfläche, (3) bei 50 Messungen einer Stufe von 504 µm auf polierter Oberfläche, (4) auf polierter Oberfläche, mehr bei diffuser Reflexion, (5) bei Profilamplitude 20µm p-p, (6) bei Profilamplitude 1000µm p-p